集成光学研究者们已经在光纤系统元件的集成化方面,向前迈进了两大步。国际Rockwell微电子研究和开发中心的一个研究小组,用集成法制造了具有金属半导体场效应晶体管(MESFET)发射器的量子阱半导体激
导读:本文提出了一种具有新的枝节加载谐振器结构超宽带滤波器的设计方案。 1.前言 本方案中所设计的滤波器具有良好的超宽带特性,其3dB带宽为2.65GHz-10.95GHz,并且通带内3.18
反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。
磁敏二极管特性 磁敏二极管内部结构与普通二极管不同,在P区与N区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——1区,在1区的一个侧面上,嵌有一载流子高复合区——R区,其基本结构如图1所示。该管采
TVS(Transient Voltage Supprseeor)是一种在稳压管工艺基础上发展起来的一高效能的电路保护器件,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异。那么两者在使用上有什
1最高反向工作电压VR:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过的电压允许值。 2反向击穿电压VB。:在施加反向电压的情况下,使变容二极管击穿的电压。 3结电容C:它是指在一特定的反偏压下,变
变容二极管在同型号中有不同的规格,其区别方法是在管壳中用不同的色点或宇母表示,如表所示。 调谐变容二极管在选用时是配对使用的,因为在儿个调谐电路中用的是同一个调谐电压 (加给变容二极管的反向
变容二极管的伏安特性曲线和普通二极管一样,不同的是它工作在反向偏置区,为反偏压二极管,其结电容就是耗尽层的电容,因此可以把耗尽层看做两个导电板之间有介质的平行板电容器。结电容的大小与反向偏压的大小有关
变容二极管是利用加在其两端的反向偏压的大小来改变结电容大小的,反向偏压越高,结电容越小,反向偏压越小,结电容越大。 变容二极管与普通二极管一样,也是由一个PN结构成。但它是利用PN结之间电容可变的原
非常实用,也非常基础的模拟电路学习 包括常用晶体管原理介绍,运算放大器介绍,振荡器电路原理介绍,锁相环设计,AD\DA电路设计,滤波器,负反馈电路,功率放大器,电接口电路。。。
