IR2117内部结构及工作原理

测试测量技术IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器,它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术,并采用双直插式封装,可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容,输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于母线电压高达600V的、在高边或低端工作的N沟道MOSFET或IGBT。1引脚排列及功能IR2117采用标准的双列直插式DIR-8或小型双列扁平表面安装SOIC-8封装形式,这两种封装形式的引脚排列相同,其引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能和用法如表1所列。[pic]表1IR2117的引脚说明|引脚|符|名称|功能及用法||号|号| | ||1|Vcc|输入级工作电源端|供电电源,抗干扰,该端应接一去||| | |耦网络到地||2|IN|控制脉冲输入端|直接按控制脉冲形成电路的输出||3|COM|输入级地端及Vcc参考地|接供电电源Vcc地||| |端|