GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料,GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场,在光显示上的应用已使颜
设计一种泵浦激光器恒温控制系统,并建立其理论模型,分析了控制参数对系统阶跃响应的影响
在散斑和半导体激光器的自混合干涉理论的基础上,提出了基于法布里珀罗腔的自混合散斑干涉模型,对粗糙表面产生的激光器内自混合散斑干涉效应(SMSI)进行了详细的理论研究和分析,得到了粗糙腔条件下的激光动力
研究外部光注入半导体激光器的非线性物理特性, 用小信号分析方法分析了激光器的动力学行为。分析了外部光注入对半导体激光器的激光非线性频率啁啾影响, 给出了最大静态锁模公式, 理论上指出, 有外部光注入半
本文报道了外腔中半导体激光器的双频振荡现象.这种现象起因于两束反馈光线——一束通过有源区,一束通过无源区——之间的干涉效应.由此亦可解释可调谐布儒斯特角半导体激光器的输出功率对波长曲线上的调制现象.
介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术。对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器的耦合的常规技术进行了分析。介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在
苏修列别捷夫研究所报导了一种使用外反射镜的薄膜半导体激光器。他们为了观察激活区域的直径、阈值水平和功率之间的关系,研究过一种由以电子束来泵浦的GaAs和外共振器组成的装置。据报导,激活区的直径为0.2
最初在室温下连续振荡的半导体激光器是GaAlAs-GaAs激光器。这种激光器,其振荡波长与当时的光纤的低耗损区一致,所以曾有许多人用以从事于光通信的研究。以后,随着光纤技术的进步,其损耗最低的波段移向
双波长缝耦合Fabry-Perot半导体激光器
针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气
