GaN基蓝光半导体激光器的发展.pdf

在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.

Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately

市售的商用半导体激光器由于其线宽宽、抖动和漂移大等缺点, 不能满足离子阱中单个钙离子的激光冷却和精细测量实验的要求。因此, 制作了一台可调谐的Littrow结构的半导体激光器(ECDL)。该激光器的自

介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术。对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器的耦合的常规技术进行了分析。介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在

本文报道了外腔中半导体激光器的双频振荡现象.这种现象起因于两束反馈光线——一束通过有源区,一束通过无源区——之间的干涉效应.由此亦可解释可调谐布儒斯特角半导体激光器的输出功率对波长曲线上的调制现象.

报道了基于半导体增益开关技术的皮秒脉冲掺铒激光器,该激光器可输出脉冲宽度为80 ps的光脉冲,具有重复频率可调的特点(100 kHz~20 MHz)。在重复频率为20 MHz时,经过主功率振荡放大器(

在半导体激光器的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率，这些器件的光电

半导体激光器的输出波长日趋丰富，在设计各种波长的高亮度光纤耦合半导体激光器时，必须要有一些重要的设计考量。随着输出波长的

设计一种半导体激光器驱动电路.