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GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料,GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场,在光显示上的应用已使颜
用载流子速率方程分析了高温CW半导体激光器(LD)阈值电流(Ith)与温度(T)的关系.数值计算结果分别给出了与T有关的腔内损耗、双分子复合和俄歇过程以及载流子泄漏效应对Ith的贡献大小.
强光注入锁定半导体激光器的理论分析
用于半导体激光器的温控电路设计,制冷模块是TEC
改变外色散腔半导体激光器的温度、电流和腔长,可实现复盖调谐范围内的连续调谐和准确调谐.本文叙述连续调谐和准确调谐的原理与实验结果.
本文对外色散腔半导体激光器单模工作条件及机理进行了理论分析和实验研究。采用将多纵模输出的半导体激光二极管置于外色散腔内,不论二极管表面镀不镀增透膜,都实现了室温连续稳定单纵模运转。激光线宽小于50MH
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电
可集成的高速双稳态半导体激光器
电子束扫描激发的半导体激光器
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