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max3766芯片手册,能驱动大部分激光器实现操作过程
利用计算机仿真,设计了相互垂直的椭圆截面柱透镜组来准直半导体激光束。两个椭圆截面柱透镜分别对半导体激光器两个方向的光束进行准直,采用自适应加权和法进行优化计算,结果可达到50Lrad量级的发散角,同时
讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下,通过确定干涉图样反差的最大值,使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种
以光纤通信作为主要目标的半导体激光器,最近几年来取得了显著的进展。随着器件性能的改善和可靠性的提高,工艺的重点正从研究和发展阶段迅速地转移到商品化应用。除了用作光纤通信光源的0.8微米波段和1微米波段
SiC衬底上的蓝光半导体激光器
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-
分析了半导体激光器光波经准直透镜的传输特性, 对影响准直光束质量的主要因素作了深入讨论, 并在实验上利用小口径大数值孔径透镜获得了高准直度的光束。
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
精确测量了半导体激光器远场分布并与新的远场理论模型作了细致的比较。结果表明新模型在很大的角度范围内与测量数据准确地符合。
光泵蓝光有机半导体激光器
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