报道作者对单频窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器的一些研究结果。理论上分析了外腔的引入对激光器的阈值增益和光谱线宽的影响;实验上用自行研制的光纤布拉格反射滤波器(FBR)与普通多纵模半导体激光器耦合,在1
本文从理论上分析了外腔半导体激光器的线宽压窄原理,用延时自外差法对外腔半导体激光器的线宽特性进行了测量研究,得到了线宽反比于激光器输出功率及外腔反馈率的实验结果.
据报导,日本丸文公司将出售500毫瓦的连续输出半导体激光器,这种商品化的激光器由光谱物理公司和复印机公司的联合承包者光谱二极管实验室提供。
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽
提出了半导体激光器混沌相位共轭反馈(PCF)控制方法,建立了相位共轭反馈控制条件下激光器电流激发混沌的物理模型,发现其混沌控制物理机制是相位共轭反馈影响改变了激光器非线性增益和线宽增强因子特性,控制了
在理论上对强外腔反馈情形的外腔半导体激光器线宽压窄效应进行了分析,对消反膜剩余反射率、外腔反射率、外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究;在实验上采用光纤光栅作为反馈元件,与一端镀有消反膜的1.5Lm波段
介绍了一种电控调谐的外腔半导体激光器, 并对其连续调谐特性进行了理论和实验分析。压电陶瓷(PZT)(双晶片)的电扫描角度可达1°, 采用适当的外腔结构, 靠PZT可同时改变外腔腔长和光栅衍射角, 实现
半导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)
设计一种泵浦激光器恒温控制系统,并建立其理论模型,分析了控制参数对系统阶跃响应的影响
在散斑和半导体激光器的自混合干涉理论的基础上,提出了基于法布里珀罗腔的自混合散斑干涉模型,对粗糙表面产生的激光器内自混合散斑干涉效应(SMSI)进行了详细的理论研究和分析,得到了粗糙腔条件下的激光动力
