报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降低垂直于结平面方向的光束发散角及腔面的光功率密度,实现器件的高功率、低发散角光。设计的激光器外延结构采用分子束外延(MBE)方法生长,成功获得具有较低激射阈值的940 nm波长激光器外延片。对100 μm条形,1000 μm腔长的制备器件测试表明,器件的最大连续输出功率达到2 W,峰值波长为939.4 nm,远场水平发散角为10°,垂直发散角为30°。器件的阈值电流为300 mA。