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针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气
用于半导体激光器的温控电路设计，制冷模块是TEC
双波长缝耦合Fabry-Perot半导体激光器
改变外色散腔半导体激光器的温度、电流和腔长,可实现复盖调谐范围内的连续调谐和准确调谐.本文叙述连续调谐和准确调谐的原理与实验结果.
本文对外色散腔半导体激光器单模工作条件及机理进行了理论分析和实验研究。采用将多纵模输出的半导体激光二极管置于外色散腔内,不论二极管表面镀不镀增透膜,都实现了室温连续稳定单纵模运转。激光线宽小于50MH
报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应
在理论上对强外腔反馈情形的外腔半导体激光器线宽压窄效应进行了分析,对消反膜剩余反射率、外腔反射率、外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究;在实验上采用光纤光栅作为反馈元件,与一端镀有消反膜的1.5Lm波段
计算速率方程龙格库塔法C语言程序
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电
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