半导体激光器列阵及其特性

英国标准通信实验室为存贮技术公司开发的一项工作可把许多激光器集成在一块晶片上。现有技术由于激光运转电流很高而不宜集成。

报道了采用列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4晶体的KTP腔内倍频绿光激光器。采用多柱透镜法,对列阵半导体激光进行了有效整形,并利用谐振腔折叠产生的像散,实现了抽运光与振荡光较好的模式匹配;由于是直接

报道了双LD列阵侧面垂直径向入射抽运Nd:YAG固体激光器的实验结果, 光光转换效率达30%左右,在抽运能量为96 mJ时,得到脉冲能量30 mJ的1064 nm激光输出, 重复频率达1000 Hz。

介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount)。该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好。在20 °C连续波(CW)运转条件下最大

激光器的泵浦振荡器是用内装式变压、高频高反压大功率晶体管KT912B和KT926A构成的开关电路和用隧道二极管构成的整形器组成。泵浦脉冲重复频率为8 kHz,脉冲宽度100 ns,流过等效电阻6 Ω和

大功率半导体激光器远场光分布特性，曾晓东，朱东济，基于偏轴高斯光束模型讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,深入探讨了bar型激光器的远场分布，给出bar型半导体激光器的远场光�

通过对半导体激光器(LD)的损耗和阈值电流特性的分析,引入等效反射系数的概念,根据多光束干涉的原理,导出了在外腔反馈作用下LD的阈值电流公式。从等效反射系数的推导可以看出,外腔的反馈相当于增大了LD一

在半导体激光器实现波长转换的理论模型中引入互耦合系数, 根据改进后的波长转换模型, 得出了波长转换的误码率特性与理论模型中的互耦合系数的关系, 并进行了数值模拟和实验验证。数值模拟结果表明, 互耦合系

介绍了808nm准连续半导体激光器及其阵列的腔面镀膜技术,影响激光器波长的因素,封装技术以及输出光的光纤耦合方式。给出了808nm准连续半导体激光器及其阵列现状和发展趋势。

在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时,输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约,而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题,提