以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数
本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
随着各种技术的发展,半导体激光器已经能在多种焊接应用中一展身手。在实际工业生产中,半导体激光器已能够焊接汽车、电子产品、
半导体激光器与单模光纤的耦合研究,分析了影响耦合效率的因素
日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,
光纤耦合半导体激光器以其体积小、光束质量好、寿命长及性能稳定等优势在各领域得到广泛应用,主要作为光纤激光器和固体激光器的抽运源,也可直接应用于激光医疗、材料处理如熔覆、焊接等领域。受光纤激光器向高功率
讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下,通过确定干涉图样反差的最大值,使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种
光声检测用半导体激光器温度控制电路.制冷模块是TEC
提出并分析验证了一种基于半导体激光器注入锁定实现的全光时钟提取方案。方案中,借助半导体激光器的注入锁定过程,可以将光归零(RZ)码信号中的载波和一个时钟分量依次锁定两个半导体激光器获得光场的锁相输出,