本文内容包括结构与符号、导电原理、JFET的伏安特性。
1)由于MOS场效应管的输人电阻非常高,容易造成感应电压过高而击穿。在焊接时,不论是将管子焊到电路上,还是从电路上取下来,应先将各极短路,并先焊漏、源极,后焊栅极。还应注意把电烙铁地线接好,或者断开电
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是
图解场效应管的测量方法pdf,下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗
文章主要介绍了场效应管与三极管之间的区别
场效应晶体管挑选的必要性 随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电
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场效应晶体管在音响数字化的今天应用范围越来越广。其原理、优点和使用常识在一些工具书及报刊上已有不少论述,在此不再赘述。本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前,应
双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。 一些双栅场效应管圭要特性
1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引
