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1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻
本文介绍了两种场效应管在使用时的区别。
本文讲述的是采用场效应管作为消音管的耳机电路
1)夹断电压,U(GS)使漏电流接近于零时,此时栅极上所加的偏压就称夹断电压 (此参数是对耗尽型而言)。 2 )饱和漏电流I(DSS),当栅压为零时,漏极电流的饱和值。 3)直流输人电阻R(G
(1)转移特性 栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性,若用曲线表示,该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是:漏极电压UDS恒定时,漏极电流ID同栅极电压UGS的关系,即
功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是
一、直流参数 1.夹断电压UP 在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。 2.开启电压
这里以N沟道结型场效应管为例,说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N型硅,材料(沟道)上引出两个电极,分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型
场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 (2)场效应管是多子导电,而晶
详细介绍了MOS管的工作原理,以及相应的用法,ppt格式
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