元器件应用中的结型场效应管的特性

直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的U

1>场效应管的应用原理 2>静态工作点的计算 3>结型场效应管的缺点 4>MOS主要参数： 5>P沟道结型场效应管的特性曲线 6>输出特性曲线

场效应管的特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107

场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占

享受简洁之美结型场效应管单湍甲类前级

1)由于MOS场效应管的输人电阻非常高,容易造成感应电压过高而击穿。在焊接时,不论是将管子焊到电路上,还是从电路上取下来,应先将各极短路,并先焊漏、源极,后焊栅极。还应注意把电烙铁地线接好,或者断开电

场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这一

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式 场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的 专有的，高密度，DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻。该器件的设计 特别是对于低电压应用，以替换 数字晶体管负

本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。