利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入
使用基于密度泛函理论的第一性原理计算,我们研究了同时具有氮空位(VN)和镓空位(VGa)缺陷的GaN和6.25%Fe掺杂的GaN的光电性能。 通过分析能带结构,电子态分布,介电函数,吸收系数,折射率,
利用磁控溅射法在室温下制备了掺钛的氧化铟薄膜,并将薄膜在氮气及真空两种氛围下进行退火。研究了退火氛围及温度对掺钛氧化铟薄膜的光电性能的影响。实验发现,氮气氛围下较低的退火温度能够部分提高薄膜的电学性能
热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响
N3-掺杂对SiO2:Ce纳米材料发光性能的影响,徐光青,郑治祥,分别采用化学掺杂和气氛控制方法对溶胶-凝胶法制备的SiO2:Ce纳米发光材料进行阴离子(N)掺杂,并采用透射电镜(TEM)、X射线光电
短碳纤维对高硅铝复合材料结构与性能的影响,赵志鹏,江道传,采用粉末半固态挤压工艺制备短碳纤维-硅混杂增强铝基复合材料,研究了引入短碳纤维对高硅铝复合材料结构与性能的影响。结果表明�
氢化硅碳薄膜制备及其光电性能研究,马胜利,张旭东,本文采用电弧增强磁控溅射镀膜(AEMS)技术制备SiCx:H薄膜,采用新颖的独立Si、C平面靶材,通过采用不同的工艺参数得到不同显微结构及光
用功率密度为2.8 mW/mm2, 3.8 mW/mm2及5.4 mW/mm2的He-Ne激光辐射干种子,辐射时间均分别为5 s, 50 s和500 s。发现经激光辐射干种子的玉米幼苗中,过氧化物酶(
反应器构型对好氧污泥颗粒化的影响,朱亮,徐向阳,试验以不同构型的三组序批式生物反应器(R1, R2, R3)为平台,处理含高浓度对氯苯胺(p-ClA)有机废水。反应器运行15d,细小颗粒污泥率
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Al2O3衬底上成功制备了Zn0.99Fe0.01O薄膜,研究了退火氧压对Zn0.99Fe0.01O薄膜的晶体结构及其激光感生电压(LIV)效应的影响。X射线衍射仪分析结
