显示/光电技术中的飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench工艺技术,这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on)(FDB2614的典型值为22.9毫欧;FDB2710的典型值为36.3毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低的栅极电荷(Qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(FOM),因而在PDP系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件