NTF6P02T3G的技术参数

echosdn 8 0 PDF 2020-12-13 00:12:13

产品型号:NTF6P02T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55 ~150描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET价格/1片(套):¥3.60

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产品型号:NSBC143TDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯

产品型号:MMQA6V8T1G雪崩电压VBRmin(V):6.460雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.140IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):100峰值反

产品型号:NSDEMN11XV6T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF

产品型号:EMF23XV6T5G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):60集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识

产品型号:EMF5XV6T5G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):12集电极电流(max)(mA):500直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:

产品型号:NSDEMN11XV6T5G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF

产品型号:MMSZ6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大

产品型号:NSBC114EDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯

产品型号:NSS20300MR6T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):20集电极最大电流Ic(max)(mA):5A直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:NSBC143TDXV6T5G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯

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