TPS1120DR的技术参数

gqw98975 3 0 PDF 2020-12-13 06:12:32

产品型号:TPS1120DRFET数:2漏源电压(V):-15持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180通道极性:P沟道封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:双路P沟道增强方式MOSFET价格/1片(套):¥13.40

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