MGSF1N03LT1G的技术参数

qq_95093 3 0 PDF 2020-12-13 06:12:21

产品型号:MGSF1N03LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145最大漏极电流Id(on)(A):2.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.60

推荐下载

MMBD701LT1G的技术参数

产品型号:MMBD701LT1G最小反向电压VR(V):70最大二极管电容CT@V(Max)( pF):1最大二极管电容CT@VV:20正向电压VF最大值(V):1最大反向漏电流IR (Max)( n

MMBTA55LT1G的技术参数

产品型号:MMBTA55LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(

MMUN2113LT1G的技术参数

产品型号:MMUN2113LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:-封

BAS70LT1G的技术参数

产品型号:BAS70LT1G最小反向电压VR(V):70最大二极管电容CT@V(Max)( pF):2最大二极管电容CT@VV:0正向电压VF最大值(V):0.750最大反向漏电流IR (Max)(

MMBD352LT1G的技术参数

产品型号:MMBD352LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌

NTJD1155LT1G的技术参数

产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-

BC81740LT1G的技术参数

产品型号:BC817-40LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):160直流电流增益hFE最大值

BSS84LT1G的技术参数

产品型号:BSS84LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):50源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000最大漏极电流Id(on)(A):0.130通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-2

MMBV432LT1G的技术参数

产品型号:MMBV432LT1G最小反向电压VR(V):14最大二极管电容CT@V(Max)( pF):48最大二极管电容CT@VV:2正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( n

MMBTH104LT1G的技术参数

产品型号:MMBTH10-4LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):-直流电流增益hFE最小值(dB):120直流电流增益hFE最大值(

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论