NTD4805N 1G的技术参数

东方大白菜 7 0 PDF 2020-12-13 07:12:05

产品型号:NTD4805N-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55~175描述:30V,88A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无

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产品型号:MLD1N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

产品型号:P2N2222ARL1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MGSF2N02ELT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):115最大漏极电流Id(on)(A):2.800通道极性:N沟道封装/温度(°C):SO

产品型号:1N6375JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6375雪崩电压VBR(V):11.700峰值反向工作电压VRWM(V):10最大反向漏电流IR(uA):2最大反向浪涌电流IRSM(A

产品型号:1N6379JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6379雪崩电压VBR(V):25.900峰值反向工作电压VRWM(V):22最大反向漏电流IR(uA):2最大反向浪涌电流IRSM(A

产品型号:1N6380JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6380雪崩电压VBR(V):42.400峰值反向工作电压VRWM(V):36最大反向漏电流IR(uA):2最大反向浪涌电流IRSM(A

产品型号:1N4001最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):50最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.010封装

产品型号:1N6277AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6277A雪崩电压VBR(V):18峰值反向工作电压VRWM(V):15.300最大反向漏电流IR(uA):5最大反向浪涌电流IRSM

产品型号:1N6294AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6294A雪崩电压VBR(V):91峰值反向工作电压VRWM(V):77.800最大反向漏电流IR(uA):5最大反向浪涌电流IRSM

产品型号:1N6377JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6377雪崩电压VBR(V):17.600峰值反向工作电压VRWM(V):15最大反向漏电流IR(uA):2最大反向浪涌电流IRSM(A

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