氧化物的去除

图2.8说明了在氧化层上刻出图形的过程。第一步在wafer上生长一薄层氧化物。接下来,滴光刻胶到旋转的wafer上。用烘焙炉去除溶液并使光刻胶变硬。光刻曝光后,用溶液洗掉曝光区域的光刻胶,露出氧化层。留下的光刻胶作为氧化层蚀刻时的mask物质。最后把光刻胶都洗去,留下刻好的氧化层。 740)this.width=740" border=undefined> 图2.8 氧化生长和去除步骤 可以用两种方法来蚀刻。湿蚀刻用溶液洗去氧化物而不是光刻胶或底下的硅。干蚀刻用反应式等离子达到同样的效果。湿蚀刻很简单,但干蚀刻能更好的做到线宽控制。 大多数湿蚀刻用的溶液是氢氟酸(HF)。这是一种