氧化物生长和去除的其他效应

在典型的工艺处理顺序里,wafer要反复几次氧化和蚀刻才能得到masking层。这些多次的masked氧化使得硅表面非常不平坦。最终表面的不平整必须特别注意因为现代的精细的光刻有非常狭窄的field深度。如果表面不平整太厉害,想把光罩的图像定位在resist上就变得不可能了。 看一下图2.11中的wafer。平坦的硅表面已经被氧化,蚀刻后形成一系列氧化层开口(图2.11A)。经过对蚀刻后的wafer热氧化形成图2.11B所示的截面图。原先去除氧化层留下的开口又快速的氧化,而已经覆盖了一层氧化层的表面氧化起来比较慢。硅表面腐蚀掉大约45%的氧化物厚度的增长。(6 这个值是Pilling-Be