NTGS3443T1G的技术参数

产品型号:NTGS3443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-55 ~150描述:2A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):¥1.80