MUN5216DW1T1G的技术参数

产品型号:NTGS3443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-5

产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:NTGS3433T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P封装/温度(°C):TSOP-6/

产品型号:MMSZ22T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):20.900齐纳击穿电压Vz典型值(V):22齐纳击穿电压Vz最大值(V):23.100@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):55最大功率

产品型号:MBR0530T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.500瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.430@0.5A非重复峰值浪涌

产品型号:MMDL301T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌

产品型号:MMDL6050T1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):0.850正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(p

产品型号:MMDL770T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):70平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0/0.01A非重复峰值浪涌电

产品型号:MMSZ20T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):19齐纳击穿电压Vz典型值(V):20齐纳击穿电压Vz最大值(V):21@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):55最大功率PMax(W):

产品型号:MMSZ15T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率