MBR0530T1G的技术参数

产品型号:MBT6429DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.200直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流

产品型号:NSR15DW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV@1.0mA最大全周期正向压降2:680mV@10m

产品型号:MUN5114DW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:EMX1DXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):560R2(Ω):180芯片上标

产品型号:MBT3946DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益h

产品型号:BC847BDW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大

产品型号:MBT3904DW1T1G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最

产品型号:NCS2002SN1T1G工作电压Min.(V):0.9,±0.45工作电压Max.(V):7.0,±3.5带宽GBW(典型值)(MHz):0.800转换速率(典型值)(V/us):1.20

产品型号:NUF2240W1T1G最大雪崩电压VBR(V)最小值:7最大雪崩电压VBR(V)典型值:-反向漏电流IR(uA)最大值:1反向工作电压VRWM(V):5线电容CLINE(pF)@2.5V典

产品型号:NCS2200SN1T1G工作电压Min. (V):0.85,±0.425工作电压Max. (V):6.0,±3.0输入失调电压Max.(mV):8输入失调电流Iio(max)(nA):-输