NSR15DW1T1G的技术参数
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MMDL914T1G的技术参数
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4 2020-12-13 -
MUN2211T1G的技术参数
产品型号:MUN2211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/
3 2020-12-13 -
MMSZ4688T1G的技术参数
产品型号:MMSZ4688T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.470齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)
4 2020-12-13 -
MMSZ12T1G的技术参数
产品型号:MMSZ12T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):25最大功率
6 2020-12-13 -
DAP222T1G的技术参数
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2 2020-12-13 -
MMSZ10T1G的技术参数
产品型号:MMSZ10T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率P
5 2020-12-13 -
NTGS3441T1G的技术参数
产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-
1 2020-12-13 -
NTGS3446T1G的技术参数
产品型号:NTGS3446T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):5.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):TSOP-
8 2020-12-13 -
MMSZ16T1G的技术参数
产品型号:MMSZ16T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率
2 2020-12-13 -
MMVL409T1G的技术参数
产品型号:MMVL409T1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):32最大二极管电容CT@VV:3正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( nA
4 2020-12-13
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