MMSZ10T1G的技术参数
产品型号:MMSZ10T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率PMax(W):0.500芯片标识:A1封装/温度(°C):SOD123/-55~150价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ10T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率PMax(W):0.500芯片标识:A1封装/温度(°C):SOD123/-55~150价格/1片(套):¥.40