DAN222T1G的技术参数

产品型号:NIS5101E1T1G输入电压min(V):18输入电压max(V):110导通电阻典型(mΩ):43平均电流ID Avg(A):6.500热操作:闭锁封装/温度(°C):SPAK 7/-

产品型号:NSR15SDW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV

产品型号:BC848CDW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增

产品型号:BC858CDW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hF

产品型号:MUN5213DW1T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:7

产品型号:MUN5335DW1T1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):2.2KR2(Ω):47K芯片

产品型号:MUN5216DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):-芯片上

产品型号:MUN5314DW1T1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:MUN5214DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:MUN5235DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):2.2KR2(Ω):47K芯片