MUN2211T1G的技术参数
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BC856BDW1T1G的技术参数
产品型号:BC856BDW1T1G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大
2 2020-12-13 -
NTR1P02T1G的技术参数
产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-
4 2020-12-13 -
BC846BPDW1T1G的技术参数
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5 2020-12-13 -
TLV431ASN1T1G的技术参数
产品型号:TLV431ASN1T1G输出电压(V):可调1.24~16工作电流最小值(μA):50工作电压(V):1.24~16容限:±1%温度系数(ppm/°C):-封装/温度(°C):SOT23-
5 2020-12-13 -
NIS5101E1T1G的技术参数
产品型号:NIS5101E1T1G输入电压min(V):18输入电压max(V):110导通电阻典型(mΩ):43平均电流ID Avg(A):6.500热操作:闭锁封装/温度(°C):SPAK 7/-
6 2020-12-13 -
NSR15SDW1T1G的技术参数
产品型号:NSR15SDW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV
0 2020-12-13 -
BC848CDW1T1G的技术参数
产品型号:BC848CDW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增
2 2020-12-13 -
BC858CDW1T1G的技术参数
产品型号:BC858CDW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hF
5 2020-12-13 -
TLV431BSN1T1G的技术参数
产品型号:TLV431BSN1T1G输出电压(V):可调1.24~16工作电流最小值(μA):50工作电压(V):1.24~16容限:±1%温度系数(ppm/°C):-封装/温度(°C):TSOP-5
8 2020-12-13 -
MBT2222ADW1T1G的技术参数
产品型号:MBT2222ADW1T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最
5 2020-12-13
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