MBT2222ADW1T1G的技术参数

产品型号:MMSZ4693T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.880@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:NTHS5404T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):7.200通道极性:N沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:MMSZ11T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):11齐纳击穿电压Vz最大值(V):11.550@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率

产品型号:MMSZ4689T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMSD914T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间t

产品型号:NTHS5441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):5.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:NTGS3443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-5

产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:NTGS3433T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P封装/温度(°C):TSOP-6/

产品型号:MUN2213T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:-封装/