NTMFS4701NT1G的技术参数

hwkjzyh 1 0 PDF 2020-12-13 09:12:53

产品型号:NTMFS4701NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.0@10V最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):SO-8FL/-55 ~150描述:30 V, 20 A功率MOSFET价格/1片(套):¥6.80

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产品型号:MMBT3904WT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MMBT3904TT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MC1455P1G工作电压(V):4.5~16V输出电流(mA):±200定时范围:10μs~hours最大工作频率(kHz):>500K功耗(mW):15封装/温度(°C):8PDI

产品型号:MC1455BP1G工作电压(V):4.5~16V输出电流(mA):±200定时范围:10μs~hours最大工作频率(kHz):>500K功耗(mW):15封装/温度(°C):8PD

产品型号:MMBZ33VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ15VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ12VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ15VDLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.800@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MC1403BP1G输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):1.200工作电压(V):4.5~40容限:±1%温度系数(ppm/°C):10封装/温度(°C):8PDIP /-40

产品型号:MMBZ27VCLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

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