MMBZ12VALT1G的技术参数

llf75141 8 0 PDF 2020-12-17 10:12:04

产品型号:MMBZ12VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(°C):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):¥.40

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产品型号:1N6373GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6373G雪崩电压VBR(V):6峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):300最大反向浪涌电流IRSM(A):

产品型号:1N4934G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):100最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.005

产品型号:1N5821G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):3平均整流器前向电流IO(max)(A):30瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.500非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(

产品型号:1N4006G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):800最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N5400G最大平均正向电流(A):3峰值反向电压VRRM(V):50最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):200最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N5402G最大平均正向电流(A):3峰值反向电压VRRM(V):200最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):200最大反向电流IR(mA):0.01

产品型号:1N4005G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):600最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N4007G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):1000最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.01

产品型号:1SS400T1G最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(p

产品型号:1PMT5936BT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):28.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):30齐纳击穿电压Vz最大值(V):31.500@Izt(mA):12.500齐纳阻抗Zzt(Ω

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