NTD20P06LT4G的技术参数

产品型号:NTD20P06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:-60 V, -15.5 A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.60