NTMD6N03R2G的技术参数

qq_23779 4 0 PDF 2020-12-13 10:12:28

产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 6 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.39

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产品型号:1N6373GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6373G雪崩电压VBR(V):6峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):300最大反向浪涌电流IRSM(A):

产品型号:1N4934G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):100最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.005

产品型号:1N5821G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):3平均整流器前向电流IO(max)(A):30瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.500非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(

产品型号:1N4006G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):800最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N5400G最大平均正向电流(A):3峰值反向电压VRRM(V):50最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):200最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N5402G最大平均正向电流(A):3峰值反向电压VRRM(V):200最大全周期正向压降VFM(V):1.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):200最大反向电流IR(mA):0.01

产品型号:1N4005G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):600最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.010

产品型号:1N4007G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):1000最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.01

产品型号:MMDF3N02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.800通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):S

产品型号:P2N2222ARL1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

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