产品型号:MMDF3N02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.800通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):SO-8/-55~150描述:3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET价格/1片(套):¥6.20