产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~150描述:30V,4A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无