NTB75N06T4G的技术参数

产品型号:1N6284ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6284ARL4G雪崩电压VBR(V):36峰值反向工作电压VRWM(V):30.800最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:1N6276ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6276ARL4G雪崩电压VBR(V):16峰值反向工作电压VRWM(V):13.600最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:1N6373RL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6373RL4G雪崩电压VBR(V):6峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):300最大反向浪涌电流IR

产品型号:MTB30P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:P沟道封装/温度(°C):3D2PAK/

产品型号:MTD5P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(°C):3DPAK/-6

产品型号:NTD20P06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DP

产品型号:MC44608P75G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电压模式开关频率(KHz):75封装/温度(°C):DIP-8/

产品型号:1.5SMC75AT3G雪崩电压VBRmin(V):71.300雪崩电压VBRnom(V):75雪崩电压VBRmax(V):78.800IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):64.

产品型号:MLP2N06CLG源漏极间雪崩电压VBR(V):62源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):400最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:N沟道封装/温度(°C):3TO-220AB

产品型号:MLP1N06CLG通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(°C