NTD4302的技术参数
产品型号:NTD4302源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7.800最大漏极电流Id(on)(A):68通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:68A,30V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥6.60
产品型号:NTD4302源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7.800最大漏极电流Id(on)(A):68通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:68A,30V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥6.60