NTHD3101FT3G的技术参数

zhukai_dong 4 0 PDF 2020-12-13 11:12:58

产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无

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产品型号:MBRS2040LT3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):2瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.43@2.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MBRS120T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.55@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:NCP1117STAT3G输出电压典型值(V):Adj输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/0~1

产品型号:MURA115T3G峰值反向电压VRRM(V):150最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MRA4005T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):600平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.1@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MBRS3100T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.79@3.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MBRS130T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.55@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:1SMA11AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):11雪崩电压VBRmin(V):12.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):18.200最大反向浪涌电流Ipp(A):

产品型号:1SMC5.0AT3G雪崩电压VBRmin(V):6.400雪崩电压VBRnom(V):6.700雪崩电压VBRmax(V):7IT(mA):10峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏

产品型号:1SMC40AT3G雪崩电压VBRmin(V):44.400雪崩电压VBRnom(V):46.750雪崩电压VBRmax(V):49.100IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):4

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