BZX84C4V3LT1G的技术参数

wqs97237 6 0 PDF 2020-12-13 11:12:16

产品型号:BZX84C4V3LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大功率PMax(W):0.225芯片标识:W9封装/温度(°C):SOT-23/-65~150价格/1片(套):¥.25

推荐下载

MMBF5484LT1G的技术参数

产品型号:MMBF5484LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):1000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):5000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25输

MMBTA63LT1G的技术参数

产品型号:MMBTA63LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):10000直流电流增益hFE最

NUD3124LT1G的技术参数

产品型号:NUD3124LT1G漏源电压VBR MAX(V):28漏电流IC(mA):150功耗EZ(mj):250封装/温度(°C):SOT-23/-40~85描述:汽车电感负载驱动器价格/1片(套

MMBD2838LT1G的技术参数

产品型号:MMBD2838LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向

MMBD7000LT1G的技术参数

产品型号:MMBD7000LT1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):0.750正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(pF

MMBD354LT1G的技术参数

产品型号:MMBD354LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌

MMBD101LT1G的技术参数

产品型号:MMBD101LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.6/0.01A非重复峰值浪涌电

BAS19LT1G的技术参数

产品型号:BAS19LT1G最小反向电压VR(V):120最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向恢复

MDC3105LT1G的技术参数

产品型号:MDC3105LT1G漏源电压VBR MAX(V):6漏电流IC(mA):500功耗EZ(mj):50封装/温度(°C):3SOT23/-40~85描述:集成继电器电感负载驱动器价格/1片(

BSS138LT1G的技术参数

产品型号:BSS138LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):50源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500最大漏极电流Id(on)(A):0.200通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论