一种超低功耗全CMOS基准电路

设计了一种超低功耗全CMOS基准电路:既能产生1 nA的基准电流又能产生560 mV的基准电压。通过亚阈值设计方法有效降低了基准电路的功耗;采用工作在深线性区的MOS管取代了传统基准电路中的电阻,大大降低了面积;采用共源共栅电流镜提高了电源抑制比。利用SMIC 55 nm的工艺,使用Cadence Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40 °C到110 °C的温度范围内,基准电流的温漂系数为0.28%/°C,基准电压的温漂系数为24 ppm/°C;在0.9 V到2 V电源电压范围内,基准电流的电源电压调整率为2.6%/V,基准电压的电源电压调整率为0.48%/V;在100 Hz处,基准电