优化p型波导层厚度提高半导体激光器电光转换效率

理论分析了p型波导层厚度对半导体激光器阈值电流、内损耗以及串联电阻的影响,优化得到该参数对器件电光转换效率的影响。由此设计了波导结构,并制作了波长为980nm非对称高效率半导体激光器。器件的光电特性测试为:腔长为1500 μm,20%占空比的巴条的阈值电流以及串联电阻分别为7.3 A和4.8 mΩ,内损耗低至0.78 cm-1。微通道封装1 cm 激光二极管列阵连续工作条件下最大电光转换效率为63.2%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.17 W/A和36.2 W,最大输出功率可达139.6 W。实验结果表明:通过优化p型波导层厚度,有效地提高器件电光转换效率。