大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为

大功率半导体激光器的应用日益广泛。随着激光器光功率的不断增加, 其结温也在急速上升。激光器结温的升高不仅会导致寿命、斜率效率和功率下降, 阈值电流增大, 而且会引起波长漂移, 光谱展宽等, 因此开展半导体激光器热设计和热优化的研究显得越来越重要。用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 W, 808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究, 定量确定了半导体激光器的温升及其构成, 以及器件的时间常数。此外, 还对半导体激光器件做了热优化, 并在分析结果的指导下做出了各项性能指标均优良的半导体激光器阵列器件。