高功率808nmInGaAsP GaAs分别限制结构的半导体激光器

介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造。在(100)GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波长K=808 nm,阈值电流密度J=300 A/cm2,对于条宽w=100 μm的激光器,连续功率为1~2 W。对制成的激光器,进行连续1000 h的实际寿命试验,并讨论了对寿命的影响因素。