脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7薄膜
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650°C时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600°C时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650°C时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600°C时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。