直流磁控溅射法制备γ Al2O3薄膜的介电特性

高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄膜具有优良的介电性能,氧化铝薄膜电容器理论储能密度约为7.6 J/cm~3。