第十次国际半导体激光会议

美国电机及电子工程师学会国际半导体激光会议每两年一次在世界某地举行。1986年10月14日至17日在日本金泽举行了第十次会议。会议主席是日本东京工业大学的末松教授,论文委员会主席是美国贝尔实验室的Kaminow博士。出席人数350人,有12个国家提出论文106篇,其中日本52篇,美国32篇。我国有4人参加,提出论文3篇。从会议的论文看出,日本和美国近年来半导体激光器方面进展迅速,而日本各公司又占首位。两国的研究工作重点放在改进重要产品,光纤通信重点放在动态单模、光集成和高频性能,光盘则着重在可见光、大功率和窄光束等器件。结构比以前更为复杂,制结工艺从液相外延移向金属有机化学汽相沉积(MOCVD