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日本国际电信电话公司研究所采用将阴性型光致抗蚀剂与阳性型光致抗蚀剂同时以双光束干涉曝光的全新方法,研制成原理上一定从单波长振荡的分布反馈半导体激光器。
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽
由于半导体激光器快慢轴方向的光束质量相差较大, 为完成半导体激光器堆栈的光纤耦合, 通常采用棱镜堆对光束进行整形。提出一种先填充快轴方向暗区、后旋转重排的光束整形技术, 基于棱镜内部的全反射和平行平板
报道作者对单频窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器的一些研究结果。理论上分析了外腔的引入对激光器的阈值增益和光谱线宽的影响;实验上用自行研制的光纤布拉格反射滤波器(FBR)与普通多纵模半导体激光器耦合,在1
在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS
由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.
研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明,在不同的调制速率下,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下,激光器应该工作在较小的直流偏置下,以避免输出脉冲拖尾的产生。
介绍了一种电控调谐的外腔半导体激光器, 并对其连续调谐特性进行了理论和实验分析。压电陶瓷(PZT)(双晶片)的电扫描角度可达1°, 采用适当的外腔结构, 靠PZT可同时改变外腔腔长和光栅衍射角, 实现
Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately
研究外部光注入半导体激光器的非线性物理特性, 用小信号分析方法分析了激光器的动力学行为。分析了外部光注入对半导体激光器的激光非线性频率啁啾影响, 给出了最大静态锁模公式, 理论上指出, 有外部光注入半
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