低温制备的非晶SiNX薄膜的发光特性和机理。 二。 缺陷状态电致发光

在本文中,我们对非晶非化学计量氮化硅(SiNX)薄膜进行了室温电致发光(EL)研究。 发光装置由ITO / SiNX / p型硅结构形成。 EL显示出淡黄色的宽发射光谱,功率效率为10(-6)。 EL峰值能量取决于偏置电压,而不取决于SiNX中的硅含量。 通过将电流-电压特性与现有模型进行拟合,我们发现在高电压下,Poole-Frenkel空穴传导是这些器件中的主要载流子传输机制。 注入的电子被硅悬空键(K中心)捕获并与空穴复合,空穴位于价带尾态。 空穴和电子注入的不平衡以及非辐射复合是SiNX EL效率的主要限制因素。