一种基于MEMS技术的冗余Pt温度传感器研究

为了提高Pt温度传感器的响应时间和可靠性水平,设计了一种MEMS冗余结构的新型温度传感器。结构基体采用可微加工0.1 mm厚的γ-Al2O3陶瓷;敏感薄膜由磁控溅射沉积而成,并采用离子束刻蚀方法加工成标准阻值。分析和测试表明:传感器输出与温度变化呈线性关系,空气状态下的90%响应时间小于60 s,在-20~180°C温区内非线性小于0.01%。采用二单元冗余设计的并联工作方式可有效提高传感器的可靠水平。